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技術專題
單片機開發模擬IC設計
模擬IC設計與數字IC設計
模擬IC設計與數字IC設計有很大不同。在數字IC設計大多是在抽象的層次上完成的系統和過程中，確定柵極/晶體管級布局和布線的細節的地方，模擬IC設計通常將更多的個性化焦點集中在每個電路上，甚至包括每個電路的尺寸和細節。
晶體管。
同樣，許多鑄造工藝主要是為具有模擬功能的數字IC開發的，這就要求模擬IC設計人員應對工藝限制和更適合數字IC的功能進行工作。
模擬設計團隊通常從一組規范和功能入手，就像數字IC設計一樣。從那里開始，可以使用各種功能的功能模型進一步縮小約束條件，并做出有關設備尺寸，類型和其他過程功能的決策。這可能包括晶體管的選擇，高層布局，電感器和電容器技術的加入以及IC和子電路的理想品質因數。
諸如VHDL-AMS之類的體系結構硬件描述語言（AHDL）用于執行高層仿真并確定子塊的約束。雖然模擬設計人員也經常為其子電路設計開發測試臺，但也可以在此階段開發一個測試臺，隨后將其用于仿真。
電路設計，物理布局和仿真
有了這些詳細信息并根據模擬電路的復雜性，模擬設計團隊通常會將子電路設計分配給個人。進行了理想的宏級測量，可以進一步確定子電路的約束和性能期望。
然后，將這些宏示意圖分解為示意圖，并使用從鑄造過程中建模的電路元件。對這些電路進行仿真和優化，然后開始物理布局過程。在進行寄生提取和布局后仿真之前，先進行布局和布線，然后進行設計規則檢查（DRC）和布局與原理圖。
布局后的仿真可能會揭示設計中的缺陷，并且可能需要重新設計，布局和仿真的迭代過程才能達到最終的設計目標，并將IC提交流片。子電路也可能在整個芯片布局和仿真之前經歷其自己的設計，布局和仿真過程，盡管這兩種方法都可能導致需要在流片之前重新設計電路。
模擬抽象水平
以下是模擬IC設計過程的抽象級別：
功能性
行為的
巨集
電路圖
晶體管
物理布局
模擬IC設計流程
與模擬IC設計相關的具體步驟可以分為以下幾類：
設計規范
技術指標
約束條件
拓撲結構
測試臺開發
原理圖流程
系統級原理圖輸入
架構HDL仿真
塊HDL規范
電路級原理圖輸入
電路仿真與優化
物理流量
基于PCell的布局條目
設計規則檢查（DRC）
布局與原理圖（LVS）
寄生提取
布局后模擬
出帶